EMMI失效分析,芯片ThermalEMMI分析,宜特检测
Thermal EMMI (InSb)
目前侦测IC失效点都以InGaAs、OBIRCH为主，但对于IC非破坏分析的失效点定位、低阻抗短路(<10ohm)和3D封装失效点深度的预估分析，需另外寻求其他方法解决。
宜特科技新增Thermal EMMI(InSb)机台，可以解决IC未开盖的失效点侦测及低阻抗短路(<10ohm)的问题分析。
机台原理是利用InSb材质的侦测器，接收失效点通电后产生的热辐射分布，藉此定位失效点位置，甚至可以利用失效点热辐射传导的时间差，预估3D封装的故障点深度，也可以应用在侦测TFT LCD面板及PCB/PCBA的失效分析上。
宜特在 Thermal EMMI(InSb) 机台应用
iST实验室优势
关于宜特：
iST始创于1994年的中国台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。
**咨询热线：8009880501
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